60-V TPW1R306PL имеет сопротивление только 0, 95 мОм (при V GS = 10 В) и предлагается в очень маленьком форм-факторе 5 х 6 мм. Эти U-MOS IX-H MOSFET теперь предлагают N-канальное устройство в SMD-пакете DSOP Advance, который предлагает двухстороннее охлаждение. Максимальный ток стока и рассеиваемая мощность составляют 260 А и 170 Вт соответственно. Повышенная тепловая диссипация, обеспечиваемая двухсторонним охлаждением, поможет уменьшить количество устройств и экономить место в приложениях с высокой удельной плотностью. Термостойкость составляет 0, 88 к / Вт на верхней стороне упаковки.
Типичный Q OSS составляет всего 77, 5 дюймов, что позволяет дизайнерам повысить производительность и эффективность системы за счет увеличения скоростей переключения и уменьшения потерь при коммутации. Целевые приложения для этого новейшего MOSFET включают преобразователи постоянного / постоянного тока, вторичные схемы источников питания переменного / постоянного тока и двигатели в беспроводные бытовые приборы и электроинструменты. Toshiba Electronics Europe: www.toshiba.semicon-storage.com